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Epi-Wafer für die Energierevolution   

Die jetzt bestellte vollautomatische AIX G5 + C-Anlage mit der In-situ-Reinigung, einem Kassette-zu-Kassette-Wafer-Handler und der individuellen On-Wafer-Temperaturregelung Auto-Feed Forward (AFF) garantiert eine unübertroffene Epitaxie-Stabilität und niedrige Fehlerquoten. Darüber hinaus ermöglicht der Planeten-Reaktor® von AIXTRON hohe Produktivitäts- und Leistungssteigerungen dank besten Durchsatz, niedrigste Betriebskosten und höchste Ausbeute. Die hochmoder8ne MOCVD-Plattform wird für die Produktion von 150- und 200-mm-Epi-Wafer eingesetzt.

AZUR SPACE positioniert sich mit der Gründung eines zweiten Geschäftsbereichs, der seine Kompetenz in der III-V-Fertigung nutzt, auf dem schnell wachsenden Markt für Galliumnitrid (GaN)-Epi-Wafer für Leistungselektronik und RF-Anwendungen. Die Nachfrage nach diesen Epi-Wafern mit ihrer Fähigkeit, mit Hochfrequenz und geringerem Formfaktor zu arbeiten, wird hauptsächlich durch den Bedarf an energieeffizienten Energiesystemen, Schnellladelösungen, erneuerbaren Energien, Serverfarmen oder der nächsten Generation von drahtlosen Netzwerken (5G) angetrieben.

Die Branchenbesten setzen auf AIXTRON-Anlagen

„Der Markteintritt wird eine Herausforderung sein. Unsere mehr als 25-jährige Erfahrung in der III-V-Epitaxie-Technologie mit der Entwicklung und der Massenproduktion wird durch die Anlage von AIXTRON jedoch ideal ergänzt, sodass wir eine sehr gute Ausgangsposition haben. Wichtig ist, dass wir mit dem hochmodernen Planeten-Reaktor® von AIXTRON das exzellente Qualitätsniveau unserer Epi-Wafer sicherstellen, das wir benötigen, um den Zukunftsmarkt für Hochleistungselektronik zu erobern", sagt AZUR-Vorstandsvorsitzender Jürgen Heizmann.

Dr. Felix Grawert, Vorstand der AIXTRON SE, fügt hinzu: „Der Markt für GaN-Epi-Wafer für die Leistungselektronik und RF-Anwendungen ist sehr spannend. Es wird erwartet, dass er durch zahlreiche Anwendungen wie Schnellladelösungen oder die nächste Generation von drahtlosen Netzwerken (5G) erheblich wachsen wird. Die hohe Energieeffizienz der GaN-basierten Leistungselektronik trägt erheblich zur Verringerung der Klimaauswirkungen neuer Technologien bei.“

Über AZUR SPACE

AZUR SPACE ist weltweit führend in der Entwicklung und Herstellung von Mehrfachsolarzellen für konzentrierte Photovoltaikanwendungen im Weltraum und auf der Erde. Basierend auf mehr als 55 Jahren Erfahrung mit Weltraumsolarzellen und mehr als 25 Jahren in der III-V-Epitaxietechnik mit Entwicklung und Großserienproduktion liefert AZUR SPACE nun auch GaAs- und GaN-on-Si-Strukturen für den Markt der Hochleistungselektronik.

Weitere Informationen über AZUR SPACE sind im Internet unter www.azurspace.com verfügbar.

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung vor.